The Structural and Optical Investigation of Grown GaN Film on Porous Silicon Substrate Prepared by PLD

Structural and optical characterization of GaN grown on porous silicon substrate by MOVPE

GaN was grown on porous silicon (PS) substrates by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy at temperature of 1050 8C. An additional AlN buffer layer is used between GaN and PS. The crystalline quality and surface morphology of GaN films were studied by X-ray diffraction and scanning electron microscope (SEM), respectively. Preferential growth of hexagonal GaN with h00.1i direction is observed and is ...

Self-Assembly of Densely Packed ZnO Nanorods Grown Chemically on Porous Silicon Substrate

Self-assembly of densely packed ZnO nanorods were grown on Porous Silicon (PS) substrate by low-temperature chemical bath deposition. The structural and optical properties of the obtained ZnO nanostructure...

investigation of effective parameters on the rigidity of light composite diaphragms (psscb) by fem

در این رساله با معرفی سقف های psscb متشکل از ترکیب ورق های فولادی ذوزنقه ای و تخته های سیمانی الیافی به عنوان سقف های پیش ساخته (سازگار با سیستم سازه ای قاب های فولادی سبک) به بررسی پارامترهای موثر بر صلبیت سقف، پرداخته می شود. در تحقیق حاضر ابتدا به مدل سازی دو نمونه سقف آزمایش شده، به روش اجزاء محدود با استفاده از نرم افزار تحلیلی abaqus ver 6.10 پرداخته شده است. نمونه های ساخته شده تحت اعما...

Structural and optical investigation of non-polar (1-100) GaN grown by the ammonothermal method

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...